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日期: 2025-02-19 | 來源: RFI 華語 | 有0人參與評論 | 專欄: 叁星 | 字體: 小 中 大
叁星電子前員工因向中國泄露半導體技術壹審被判7年 https://t.co/Zac7JMBLKZ pic.twitter.com/C3yHgyAAEE— RFI 華語 - 法國國際廣播電台 (@RFI_Cn) February 19, 2025
涉嫌向中國企業泄露核心半導體技術而受審的叁星電子及合作公司前職員，在壹審中被判處重刑。首爾中央地方法院周叁因違反韓國《產業技術保護法》等罪名被起訴的叁星電子前部長金某判處有期徒刑7年、罰款2億韓元，對合作廠商A公司員工方某判處有期徒刑2年6個月。
據韓聯社報導，院方表示，“這是嚴重犯罪行為，不僅嚴重阻礙良性競爭，使受害企業浪費大量時間和金錢，而且實際上可能對韓國民族產業的競爭力產生重大負面影響”。院方還表示，“受害企業的損失不會小，特別是對叁星電子的損失可以預計會達到巨大數額”。
金某被指控未經許可將叁星電子的18納米級DRAM核心技術非法轉讓給中國長鑫存儲，用於產品開發。韓國國家情報院此前已發現其技術泄露的情況，並於2023年5月向韓國檢方請求調查。
檢方認為，金某等人2016年跳槽到長鑫存儲時不僅轉讓了半導體“沉積技術”相關資料，還泄露了其他7個關鍵工序的技術數據，並以此收受數百億韓元的財物。
調查發現，金某還以稅後至少5億韓元的報酬從叁星電子及其關聯公司挖走了約20名技術人員。方某被指控與金某合謀將半導體設備供應商A公司的設計技術數據傳輸給長鑫存儲。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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