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日期: 2025-05-05 | 來源: 半導體產業縱橫 | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
N2（即2nm工藝）作為台積電全新的工藝技術，采用了納米片或環繞柵極設計。相比前代技術，N2能夠在相同功耗下實現10%-15%的速度提升，或者在相同速度下降低20%-30%的功耗。
與現有的N3E工藝相比，N2工藝的性能提升了10%-15%，功耗降低了25%-30%，同時晶體管密度增加了15%。台積電還透露，N2的晶體管性能已接近預期目標，256Mb SRAM模塊的平均良率超過90%。隨著N2逐漸進入量產階段，其工藝成熟度也將進壹步提高。台積電預計，在智能手機和高性能計算應用的推動下，2nm技術的流片數量在投產初期將超過3nm和5nm技術。
此外，台積電繼續遵循其技術改進戰略，推出了N2P作為N2系列的延伸。N2P在N2的基礎上進壹步優化了性能和功耗表現，計劃於2026年投入生產。在N2之後，台積電將進入A16（即1.6nm）節點。
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A16工藝的核心技術特點之壹是超級電軌架構，也稱為背面供電技術。通過將供電網絡移至晶圓背面，這種技術能夠釋放更多正面布局空間，從而提升芯片的邏輯密度和整體效能。據台積電介紹，與N2P相比，A16在相同電壓和設計條件下可實現8%-10%的性能提升；在相同頻率和晶體管數量下，功耗則能降低15%-20%，密度提升范圍為1.07-1.10倍。
台積電特別指出，A16工藝特別適合用於信號路由復雜且供電網絡密集的高性能計算（HPC）產品。按照計劃，A16將於2026年下半年開始量產。
A14
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