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日期: 2025-08-31 | 來源: 半導體行業觀察 | 有0人參與評論 | 專欄: 叁星 | 字體: 小 中 大
除了台積電之外，隨著韓國巨頭叁星恢復對其泰勒工廠的投資，該公司顯然也在大力推動美國制造業的發展。
鑒於過去幾個季度叁星的代工業務低迷，其在美國的投資也壹直很少，因此其在美國的計劃也隨之調整。然而，隨著特朗普(专题)政府大力推崇“美國制造”的理念，以及美國客戶對叁星2納米工藝的興趣，據ETNews報道，這家韓國巨頭已恢復對其泰勒工廠的投資。這將包括人員部署、新代工設備的整合，以及更重要的是，為2納米工藝的生產做准備。
據業內人士31日透露，叁星電子計劃從9月開始部署人員，在泰勒工廠建立代工生產線。工程師將分兩批部署，分別在9月和11月。此外，已確認正在訂購代工生產線建設所需的設備。
多位知情人士表示：“我們已經完成人員選拔流程，計劃在9月和11月部署人員。許多合作伙伴已經宣布了設備訂單，目前正在准備中。” 據報道，
叁星電子還任命了泰勒代工廠的新負責人。此前，泰勒工廠由奧斯汀代工廠負責管理，但隨著泰勒工廠的運營全面展開，似乎內部已經任命了壹位新負責人。
大約壹年前，叁星電子恢復了對泰勒工廠的投資。叁星決定於2021年投資泰勒工廠，並開始建設。叁星電子先行建設廠房，為投產做准備，但去年9月撤走了員工。
全球經濟衰退、半導體市場惡化、通貨膨脹以及美國半導體補貼等多種因素共同導致了這壹局面，但決定性因素是難以獲得代工客戶。
叁星最初計劃在泰勒工廠建設4納米工藝，但據報道，在與客戶的合作失敗後，該工藝發生了改變。
在獲得特斯拉的訂單後，不確定性得以解決。叁星電子於7月與特斯拉簽署了壹份價值22.8萬億韓元（約合196億美元）的代工合同。該合同要求叁星電子在泰勒工廠生產特斯拉設計的人工智能（AI）芯片，並提供為期八年的供應。在獲得客戶後，叁星電子正准備恢復泰勒工廠的運營。
泰勒晶圓廠目前由壹棟建築組成，並配備壹間潔淨室，這對於半導體生產至關重要。叁星電子計劃從第壹階段（即單潔淨室）開始建設壹條2納米生產線。預計到明年年底，產能將達到每月16,000至17,000片12英寸晶圓。據市場研究公司Counterpoint Research的數據，每月可生產10,000片晶圓的2納米晶圓制造設備（WFE）的投資額高達17億美元，預計到明年年底，叁星電子將投資約28.9億美元（約合4萬億韓元，以17,000片晶圓計算）。派遣的人員將
用於安裝設備並優化工藝。設備安裝完成後，將使用測試晶圓來穩定工藝。據專家介紹，3納米工藝的工藝穩定期約為10個月，而2納米工藝的穩定期將長約壹個月。泰勒工廠預計將於明年年底或 2027 年初開始量產。這意味著特斯拉的人工智能半導體可能會在 2026 年底或 2027 年開始量產。
隨著泰勒代工廠 (Taylor Foundry) 的成立，叁星電子預計將加快吸引大型科技公司進入美國的步伐。該公司最初計劃建造兩座晶圓廠，每座晶圓廠配備兩間潔淨室，總計肆間潔淨室。這肆間潔淨室每月可生產 6 萬至 7 萬片 12 英寸晶圓的半導體。為了拓展泰勒代工廠的業務，該公司預計將加強針對英偉達、蘋果、高通和 AMD 等公司的銷售力度。
2nm，激烈競爭
今年下半年，全球爭奪下壹代2納米半導體市場領導地位的競爭將愈演愈烈，領先的晶圓代工廠台積電和叁星電子正准備開始量產。與此同時，英特爾正尋求利用更先進的1.8納米工藝超越競爭對手，重振其陷入困境的晶圓代工業務。
據業內人士周日透露，台積電已經開始接到客戶關於其 2nm 工藝節點的訂單，預計將於今年下半年在其位於台灣(专题)寶山和高雄的晶圓廠投產。
台積電首次在其2納米芯片中采用環柵晶體管架構，標志著壹項重大的技術轉變。與目前的3納米工藝相比，新節點預計將提供10%至15%的性能提升、25%至30%的功耗降低以及15%的晶體管密度提升。
晶圓代工市場第贰大廠商叁星電子也計劃在 2025 年下半年開始生產 2nm 芯片。
叁星在最新的1-3月財報中確認，將在年內開始量產采用2nm工藝節點的移動芯片。
雖然該公司沒有具體說明這款產品是什麼，但人們普遍預計它將是 Exynos 2600，這是即將推出的旗艦 Galaxy S26 系列應用處理器芯片，計劃於 2026 年初發布。
叁星是業界首家在其早期 3nm 節點工藝中采用先進 GAA 架構的芯片制造商，但在初期階段，該公司面臨著良率低的問題。憑借其在尖端架構方面積累的經驗，該公司目前的目標是提高 2nm 工藝的制造穩定性和產量。
台積電目前在全球晶圓代工市場占據主導地位，今年第壹季度的市場份額達到67.6%，目前看來，該公司的業績似乎已步入正軌。消息人士稱，該公司的良率已超過60%，已跨過穩定量產的門檻。
叁星的市場份額為 7.7%，其任務是提高其成品率，據報道，目前成品率約為 40%。
在激烈的競爭中，2nm節點的前景樂觀，預計需求將超過上壹代3nm。
台積電董事長魏哲家在最近的財報電話會議上表示，在智能手機和高性能計算應用的推動下，2nm 的需求已經超過 3nm。
魏哲家表示：“我們預計，頭兩年 2nm 技術的新流片數量將超過 3nm，甚至 5nm 或 4nm。”他強調，主要客戶對此表現出濃厚興趣。
市場調研公司Counterpoint Research也認同這壹預測，預計台積電將在今年第肆季度實現2納米產能的滿負荷運轉，比以往任何節點都要快。預計主要客戶將包括蘋果、高通、聯發科、AMD，甚至英特爾。
叁星面臨的挑戰是如何吸引頂級科技客戶，以在先進節點市場保持競爭力。為了實現這壹目標，這家芯片制造商最近聘請了台積電前高管瑪格麗特·韓（Margaret Han）領導其在叁星設備解決方案美洲公司的美國代工業務。
與此同時，美國芯片巨頭英特爾正押注其 1.8nm 工藝（品牌為 18A），以在代工市場重新確立自己的地位。
在最近的壹次 Direct Connect 活動中，英特爾代工服務總經理 Kevin O'Buckley 承認公司已經落後於計劃。他說：“我非常直接地承認，我們沒有完成 18A 計劃的所有任務。”不過，他強調，18A 目前有望在 2025 年下半年實現量產，英特爾相信它很快就能准備好在先進節點挑戰台積電和叁星。
Rapidus 在過去幾個月中大受歡迎，主要是因為該公司是日本(专题)領先的半導體公司。NVIDIA 也表達了興趣。該公司正在准備其尖端的 2nm 節點，名為“2HP”。根據分享的信息，2HP 的邏輯密度將與台積電的 N2 相近，更重要的是，它將遠遠超過英特爾的 18A。這表明 Rapidus 的節點可能成為目前最具競爭力的工藝之壹，並成為半導體領域的壹個未知領域。
共享的信息顯示，Rapidus 2HP 的邏輯密度將達到 237.31 MTr/mm2，與台積電的 N2 相當，後者目前據稱的密度為 236.17 MTr/mm2。該用戶還分享了達到這壹邏輯密度所需的單元庫，包括壹個 HD（高密度）庫，單元高度為 138 個單元，間距為 G45。鑒於 N2 和 2HP 的密度相近，這表明這兩個節點都是 HD 類型的單元，旨在實現最大邏輯密度，並且最終解決方案發布後晶體管數量可能也相近。
盡管英特爾的節點尺寸相對較小，但該公司聲稱其 18A 的密度為 184.21 MTr/mm2，這主要是因為英特爾使用了 HD 庫對 18A 進行基准測試。但另壹個值得關注的因素是，由於使用了 BSPDN，英特爾占用了部分正面金屬層，因此 HD 庫測量中的密度值有所下降。由於英特爾專注於性能/功耗指標，因此更高的密度並非該公司的最終目標，尤其是在 18A 主要用於內部使用的情況下。
現在，Rapidus 的 2HP 密度數據無疑表明該公司正在半導體行業邁出重大壹步。更重要的是，這家日本公司采用了單晶圓前端工藝，這是壹種獨壹無贰的實施方案，專注於對有限的產量進行調整，然後擴大改進規模以獲得更好的最終結果。該公司的 2nm PDK 將於2026 年第壹季度向客戶提供，根據初步信息，該節點前景看好。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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