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日期: 2025-12-28 | 來源: LTN經濟通 | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
此外，財經媒體分析指出，這種由“外行人”建立的芯片項目，往往誇大技術宣稱和產出數據，實際上與全球先進制程存在巨大差距，使得投資者與地方政府成為最大的受害者：巨額投入可能化為泡影。
韓國檢方起訴包括叁星電子前高管，與研發人員在內多名人士，指控他們非法泄露技術給中國長鑫存儲。 （美聯社資料照）
偷技術是中國慣用技倆
《南華早報》報道表示，為了遏止這類資金浪潮中的不當行為，中國證券監管機構曾對個別半導體相關企業的財報提出異議，然而，業界分析指出，盡管監管加強，但詐騙性投資風險仍然存在，尤其是在政府補貼龐大、地方競爭激烈的情況下。
與以上投資詐騙風險並行的是另壹類挑戰：技術外泄與競爭風險。 韓國檢方近日起訴包括叁星電子前高階主管，與研發人員在內多名人士，指控他們將叁星開發的10納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）核心制程技術，非法泄露給中國存儲器企業長鑫存儲。
這類案件並非首起。 早前亦有報道指出，韓國SK海力士曾有中國籍員工，因涉嫌向華為等中國企業泄漏內部技術文件而被起訴。 這類事件突顯壹個現象：在中國與外國企業互動頻繁、資金與人力流動擴大之下，產業競爭與投資熱潮不僅可能帶來經濟機會，也伴隨著知識產權風險與資金安全問題。
中國半導體投資雄心勃勃。 （路透數據照）
綜合外媒觀察，中國半導體投資雖雄心勃勃，但從EUV光刻機原型到過去弘芯、泉芯等案例顯示，高額投入與技術基礎不足之間存在顯著落差。 《南華早報》指出，中國部分半導體項目因技術基礎不足與管理經驗缺失，導致資金快速消耗、項目停擺，甚至引發投資泡沫與吸金風險。
隨著全球半導體競爭加劇，《路透》就指出，中國在高端制程與核心設備上的技術落差與投資風險，仍是國際關注焦點。 專家認為，唯有真正掌握技術自主、建立完善的監管與風險控管機制，才能在國際市場中保持競爭力。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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