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日期: 2026-02-12 | 來源: LTN | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
由於內存短缺、價格狂飆，傳出中國DRAM龍頭長鑫存儲（CXMT）正大舉擴廠，趁機搶商機。 不過，韓媒最新披露，長鑫存儲去年第肆季已達到產能高峰，目前正面臨極限，原因是美國出口管制收緊，限制長鑫存儲的產能擴張。 另外，長鑫存儲的DRAM良率仍是瓶頸，實際出貨量可能低於預期。
韓媒《Chosun Biz》12日報道，長鑫存儲的產能已於去年第肆季達到峰值，目前面臨產能瓶頸。 盡管中國政府全力推動半導體設備本土化，外界認為，美國對先進半導體設備的出口規定，將限制其新增產能。
根據市場調查公司 Omdia 於 12 日獲得的數據，長鑫存儲月平均晶圓產量已達到約 24 萬片的最高點。 業內人士預測，自2024年以來持續擴大產能的長鑫存儲，今年的產量將遇到瓶頸。
長鑫存儲目前的DRAM產能估計約為業界第贰大廠商SK海力士的壹半，略高於叁星電子的叁分之壹。 去年，叁星電子的DRAM年產能約760萬片晶圓，SK海力士為597萬片，美光為360萬片。 去年，長鑫存儲的晶圓產量翻倍，擴大其市占，但今年其成長速度似乎有所放緩。
LS Securities 研究員車勇浩（音譯）表示，美國出口管制收緊，限制長鑫存儲的產能擴張。 北京深知此事，目前中國大基金正集中於半導體設備。 他補充說，如果中國明年成功讓設備本地化，產能擴建可能從2027年恢復，包括長鑫存儲新上海晶圓廠。
然而，長鑫存儲DRAM產量的良率仍是瓶頸。 盡管該公司大力投資擴廠，實際產量仍難以達到預期目標。 原因在於良率低導致產能與實際產量之間存在差距。 由於產品缺陷等問題，實際出貨量可能低於預期。
壹位半導體行業內部人士指出，與NAND閃存不同，由於DRAM設計和工藝的復雜性，長鑫存儲需要相當長的時間，才能推出類似於叁星電子或SK海力士的先進制程。 他補充，隨著工藝進展到低10納米，對EUV曝光系統等尖端設備的需求增加，但美國的限制使得（中國）取得這些設備變得很困難。
受到美國出口限制沖擊，中國長鑫存儲產能擴張受限。 示意圖。 （路透）- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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