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日期: 2026-05-14 | 来源: X博士 | 有0人参与评论 | 字体: 小 中 大
但就在舛冈富士雄发明NAND的同一年——1986年，一份协议改变了整个产业的走向。
那一年，美国迫使日本签署了《美日半导体协议》，规定日本芯片出口必须设定最低价格，并强制向美国企业开放日本市场。
正是这个被撕开的缺口，让一些此前几乎没有机会的竞争者悄然挤了进来。
这其中最耀眼的竞争者，便是三星电子和闪迪。
与日本企业不同，三星做到了日本企业始终没有魄力做到的事：把整个集团的赌注，all in在存储芯片上。它甚至用低于成本的价格打市场，用亏损换规模，用政府背书的资本撑过一轮又一轮的周期低谷。
而闪迪创立于《美日半导体协议》签署后的第二年，它的起家方式，是与东芝合作建厂，直接借助东芝的技术授权生产闪存产品，最终长成了一家市值超过2000亿美元的公司。换句话说，闪迪最初的地基，便是由东芝亲手打下的。
反观日本企业守着既有的产品线，看着这些学生一点一点蚕食自己的市场份额，却始终没有魄力进行彻底的产品转型。
进入2000年代，日本存储芯片产业的溃败已成定局。
这时，我们再回看故事的主角舛冈富士雄。
在很长一段时间里，东芝为避免尴尬，曾长期拒绝承认舛冈富士雄的发明者身份。为了撇清关系，其公关部门甚至多次对外声称，闪存技术的发明者是英特尔。
这个说法一度广泛流传，舛冈的名字几乎从这项技术的起源叙事中被悄然抹去。
直到1997年，IEEE（国际电气与电子工程师协会）专门为他颁发了特别贡献奖，东芝才不得不公开承认他的发明者身份。
九年后，舛冈将东芝公司告上法庭，索要10亿日元的发明补偿。经过了旷日持久的拉锯，最终他拿到了8700万日元的补偿，折合美元约75万。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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