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日期: 2026-05-16 | 来源: 钛媒体 | 有0人参与评论 | 字体: 小 中 大
碳化硅产业链的价值分布呈现典型的“倒金字塔”结构。据国际知名半导体研究机构Yole Group研究显示，衬底制造环节占SiC功率器件总成本的约47%，外延生长占约23%，两者合计70%。与传统硅基半导体不同，碳化硅的话语权高度集中在上游材料环节。
当前，全球碳化硅衬底正处于从6英寸向8英寸的迭代窗口。8英寸衬底相比6英寸，可将有效芯片数量提升约90%，单位芯片成本降低30%以上。能否实现8英寸高良率量产，是衬底厂商进入主流供应链的关键门槛。
在这一轮代际切换中，中国企业的市场份额显着提升。据日本富士经济2026年3月发布的报告，2025年全球导电型碳化硅衬底市场中，中国厂商合计份额已超过40%。其中，天岳先进以27.6%的份额位居全球第一，8英寸市场份额为51.3%。在更大尺寸层面，天岳先进2025年年报显示，公司已完成12英寸导电型和半绝缘型技术攻关，并获得客户订单交付。据其披露，其已与英飞凌、博世、罗姆等全球前十大功率半导体器件制造商中的半数以上建立合作关系。2025年全年，天岳先进碳化硅产品产量折合69.04万片，同比增长68.31%。
其他国内企业也在推进产能布局。天科合达2025年初实现导电型SiC衬底累计百万片级出货，并已获得多家国内外头部企业8英寸外延中小批量订单。晶盛机电已备案60万片8英寸衬底产能，宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片项目已开工建设。
在外延环节，中国企业的全球地位同样突出。全球SiC外延片市场已形成“头部引领、本土崛起”的竞争格局。根据灼识咨询的报告，瀚天天成作为全球首家实现8英寸SiC外延片大批量外供的企业，以31.6%的全球市场份额位居全球前列。自2023年来，瀚天天成即是全球最大的碳化硅外延供货商。而天域半导体在中国市场以30.6%的收入占比成为行业领军者之一。
在器件和模块环节，中国企业整体份额仍落后于英飞凌、意法半导体等国际IDM巨头。但部分车规级碳化硅模块已进入国内主流车企供应链，少数企业开始向海外Tier 1供货。公开信息显示，在代工环节，国内最大碳化硅器件代工厂的6英寸CP良率已提升至94%以上。
供需周期：从产能过剩到结构性改善
2024年到2025年，碳化硅行业经历了一轮惨烈的价格战。公开数据显示，2022年1万多一片的6英寸导电型碳化硅衬底，到2025年一度跌破2000元关口。价格战的根源在于供需错配：下游新能源汽车增速放缓，而中国衬底产能以每年翻倍的速度扩张。
但价格战并非没有正面意义。它加速了低效产能的出清，迫使企业在降本上极致挖掘，最终拉低了碳化硅器件的应用门槛。海外大厂缩减产能，国内的产能扩张也放缓节奏，低端产能加速淘汰，高端产能则相对稀缺。2025年，部分消费级SiC MOSFET器件单价已显着下探，逼近甚至低于硅基超结MOSFET的价位：这意味着碳化硅正在从“高端选配”走向“成本可接受”的广泛市场。
据行家说Research测算，到2030年，全球SiC衬底总需求量（折合6英寸）有望接近1200万片。
进入2026年，供需信号正在发生关键变化。据晶升股份2026年4月发布的投资者交流记录，碳化硅衬底市场已释放出明确复苏信号：6英寸碳化硅衬底价格出现较大幅度反弹，8英寸产品价格止跌企稳并小幅上涨，部分衬底厂商已收到下游客户新增订单需求，行业供需格局得到明显改善。天岳先进在2026年3月的投资者调研中亦表示，过去两年碳化硅衬底行业经历了充分的价格调整，目前6英寸产品价格已逐步进入相对稳定区间，8英寸产品价格亦明显企稳，行业正从价格调整阶段转向“价格趋稳、需求扩容”的新阶段。
需求侧的驱动力正在从单一的新能源汽车，转向“EV+AI+光储”的多轮共振。新能源汽车仍是占比最大的基本盘，800V平台的渗透率持续提升。在AI数据中心领域，英伟达已明确数据中心正从当前的54V机架供电向800V高压直流架构过渡，目标是2027年实现规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。SiC器件凭借极低的开关损耗和耐高压特性，能让服务器电源转换效率突破96%甚至向99%迈进，在相同市电容量下可多支撑50%的AI负载。光伏储能领域，200kW以上组串式逆变器中SiC的渗透率已超过60%。此外，先进封装散热正在成为增量最快的新引擎，英伟达正评估新一代Rubin平台中将CoWoS封装的硅中介层替换为碳化硅的方案，若该方案确立，每一颗高端AI处理器都将内置SiC材料。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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