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日期: 2026-05-16 | 來源: 鈦媒體 | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
碳化硅產業鏈的價值分布呈現典型的“倒金字塔”結構。據國際知名半導體研究機構Yole Group研究顯示，襯底制造環節占SiC功率器件總成本的約47%，外延生長占約23%，兩者合計70%。與傳統硅基半導體不同，碳化硅的話語權高度集中在上游材料環節。
當前，全球碳化硅襯底正處於從6英寸向8英寸的迭代窗口。8英寸襯底相比6英寸，可將有效芯片數量提升約90%，單位芯片成本降低30%以上。能否實現8英寸高良率量產，是襯底廠商進入主流供應鏈的關鍵門檻。
在這壹輪代際切換中，中國企業的市場份額顯著提升。據日本富士經濟2026年3月發布的報告，2025年全球導電型碳化硅襯底市場中，中國廠商合計份額已超過40%。其中，天岳先進以27.6%的份額位居全球第壹，8英寸市場份額為51.3%。在更大尺寸層面，天岳先進2025年年報顯示，公司已完成12英寸導電型和半絕緣型技術攻關，並獲得客戶訂單交付。據其披露，其已與英飛凌、博世、羅姆等全球前拾大功率半導體器件制造商中的半數以上建立合作關系。2025年全年，天岳先進碳化硅產品產量折合69.04萬片，同比增長68.31%。
其他國內企業也在推進產能布局。天科合達2025年初實現導電型SiC襯底累計百萬片級出貨，並已獲得多家國內外頭部企業8英寸外延中小批量訂單。晶盛機電已備案60萬片8英寸襯底產能，寧夏創盛年產60萬片8英寸碳化硅襯底片項目已開工建設。
在外延環節，中國企業的全球地位同樣突出。全球SiC外延片市場已形成“頭部引領、本土崛起”的競爭格局。根據灼識咨詢的報告，瀚天天成作為全球首家實現8英寸SiC外延片大批量外供的企業，以31.6%的全球市場份額位居全球前列。自2023年來，瀚天天成即是全球最大的碳化硅外延供貨商。而天域半導體在中國市場以30.6%的收入占比成為行業領軍者之壹。
在器件和模塊環節，中國企業整體份額仍落後於英飛凌、意法半導體等國際IDM巨頭。但部分車規級碳化硅模塊已進入國內主流車企供應鏈，少數企業開始向海外Tier 1供貨。公開信息顯示，在代工環節，國內最大碳化硅器件代工廠的6英寸CP良率已提升至94%以上。
供需周期：從產能過剩到結構性改善
2024年到2025年，碳化硅行業經歷了壹輪慘烈的價格戰。公開數據顯示，2022年1萬多壹片的6英寸導電型碳化硅襯底，到2025年壹度跌破2000元關口。價格戰的根源在於供需錯配：下游新能源汽車增速放緩，而中國襯底產能以每年翻倍的速度擴張。
但價格戰並非沒有正面意義。它加速了低效產能的出清，迫使企業在降本上極致挖掘，最終拉低了碳化硅器件的應用門檻。海外大廠縮減產能，國內的產能擴張也放緩節奏，低端產能加速淘汰，高端產能則相對稀缺。2025年，部分消費級SiC MOSFET器件單價已顯著下探，逼近甚至低於硅基超結MOSFET的價位：這意味著碳化硅正在從“高端選配”走向“成本可接受”的廣泛市場。
據行家說Research測算，到2030年，全球SiC襯底總需求量（折合6英寸）有望接近1200萬片。
進入2026年，供需信號正在發生關鍵變化。據晶升股份2026年4月發布的投資者交流記錄，碳化硅襯底市場已釋放出明確復蘇信號：6英寸碳化硅襯底價格出現較大幅度反彈，8英寸產品價格止跌企穩並小幅上漲，部分襯底廠商已收到下游客戶新增訂單需求，行業供需格局得到明顯改善。天岳先進在2026年3月的投資者調研中亦表示，過去兩年碳化硅襯底行業經歷了充分的價格調整，目前6英寸產品價格已逐步進入相對穩定區間，8英寸產品價格亦明顯企穩，行業正從價格調整階段轉向“價格趨穩、需求擴容”的新階段。
需求側的驅動力正在從單壹的新能源汽車，轉向“EV+AI+光儲”的多輪共振。新能源汽車仍是占比最大的基本盤，800V平台的滲透率持續提升。在AI數據中心領域，英偉達已明確數據中心正從當前的54V機架供電向800V高壓直流架構過渡，目標是2027年實現規模化商用，以支撐1MW及以上超高功率密度IT機架的電力需求。SiC器件憑借極低的開關損耗和耐高壓特性，能讓服務器電源轉換效率突破96%甚至向99%邁進，在相同市電容量下可多支撐50%的AI負載。光伏儲能領域，200kW以上組串式逆變器中SiC的滲透率已超過60%。此外，先進封裝散熱正在成為增量最快的新引擎，英偉達正評估新壹代Rubin平台中將CoWoS封裝的硅中介層替換為碳化硅的方案，若該方案確立，每壹顆高端AI處理器都將內置SiC材料。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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