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日期: 2026-05-20 | 来源: DeepTech深科技 | 有0人参与评论 | 字体: 小 中 大
“这是领域面临的一个现实难题。即便是像我们这类配合默契的完整团队一起回国，也需要各方妥协让步，但好在我们有共同的奋斗目标。”达博表示。
不止于“国产替代”：从底层材料出发，为中国半导体装备铸魂
当下国内半导体装备产业规模正在逐步形成，但高校和科研层面的配套布局还不够明晰，未来亟需产学研深度融合发展。目前设备设计和整机集成国内已具备成熟能力，但关键的几种材料和核心部件仍未能实现自主制备，高度依赖日本引进。
实际上，国内的课题组并不缺丰硕的成果，但普遍缺少把单点实验室材料，转化为量产可替换核心部件的工程落地能力，这也是国内半导体装备国产化最大的现实短板。
在研发落地模式上，NIMS 一套整机替换验证的研发工艺极具借鉴价值。半导体产线无法停机配合新材料验证，要实现新材料规模化导入量产，必须先将材料做成标准化部件，放入和商用产线环境高度一致的整机设备中做替换测试，再经过长时间细节打磨，才能最终获得产线认可。这也是即便欧美拥有头部半导体设备企业，但全球半导体装备材料与部件供应链仍高度集中在日本的核心原因之一。
在先进制程推进路线上，国内暂未实现 EUV 光刻机产线商用落地，现阶段主要采用 DUV 多重多次曝光技术路线。但多重曝光会不断增加工艺流程，每新增一道工序都会带来芯片良率下滑。
国际厂商在电子束量检测中的抽检覆盖率要求相对宽松，而国内受多重曝光工艺影响，对检测覆盖范围要求大幅提高。这对国产电子束量检测设备的检测效率和先进制程适配能力，提出了更高标准。若能落地更高效率、更强适配能力的电子束量检测方案，可有效弥补无 EUV 工艺的短板，缓解芯片量产良率压力。
从技术迭代趋势看，2022 年起电子束量检测已从沿用近二十年的热场发射，转向冷场发射技术
路线。冷场发射具备高束流强度、检测速度快的优势，既能满足存储芯片刻蚀深坑检测、线路导通判定等刚需，还能提升抽检覆盖概率，对降低高端芯片生产成本、拉升量产良率价值突出。
同时冷场发射技术适用场景广阔，可用于光伏器件等弱导电样品观测，也适配生物医疗电镜病理分析、病变筛查、病毒检测等低损伤高分辨检测场景。达博认为，未来 3 到 5 年，冷场发射技术有望率先在研发与工艺导入环节实现规模化应用，后续再逐步渗透到半导体量产环节。
国产化破局要遵循先对标、再深耕的路径，首先在关键指标上对标国际一流水平，在此基础上立足现有技术向内沉淀、底层攻坚。行业当下最迫切的任务，是搭建起底层材料与核心部件自给自足的完整配套体系。
长远来看，达博的目标是实现半导体关键装备核心材料、核心部件全面国产化，让我国在全球半导体产业竞争中掌握更多话语权与产业硬实力。短期则要正视现有短板、抢抓时间窗口补齐产业链配套；他希望未来十年能够把基础科研、工程落地、产业发展与国家战略需求进一步结合，搭建完善、可持续的半导体装备产业发展格局。
在亚纳米的世界里，“看见”本身正在被重新定义，而他选择回到起点，参与这一定义的重写。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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