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日期: 2022-04-29 | 來源: 半導體行業觀察 | 有0人參與評論 | 專欄: 叁星 | 字體: 小 中 大
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叁星周肆表示，它有望在本季度（即未來幾周內）使用其 3GAE （早期 3 納米級柵極全能）制造工藝開始大批量生產。該公告不僅標志著業界首個3nm級制造技術，也是第壹個使用環柵場效應晶體管（GAAFET）的節點。
叁星在財報說明中寫道：“通過世界上首次大規模生產 GAA 3 納米工藝來增強技術領先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）
叁星代工的 3GAE 工藝技術 是該公司首個使用 GAA 晶體管的工藝，叁星官方將其稱為多橋溝道場效應晶體管 (MBCFET)。
叁星大約在叁年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 節點。叁星表示，該工藝將實現 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達 80% 的晶體管密度（包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合）。不過，叁星的性能和功耗的實際組合將如何發揮作用還有待觀察。
理論上，與目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有許多優勢。在 GAA 晶體管中，溝道是水平的並且被柵極包圍。GAA 溝道是使用外延和選擇性材料去除形成的，這允許設計人員通過調整晶體管通道的寬度來精確調整它們。通過更寬的溝道獲得高性能，通過更窄的溝道獲得低功耗。這種精度大大降低了晶體管泄漏電流（即降低功耗）以及晶體管性能可變性（假設壹切正常），這意味著更快的產品交付時間、上市時間和更高的產量。此外，根據應用材料公司最近的壹份報告，GAAFET 有望將cell面積減少 20% 至 30% 。
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