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日期: 2025-10-06 | 来源: 邱处机 | 有0人参与评论 | 专栏: NASA | 字体: 小 中 大
2025年夏天，一份英伟达供应链名单，在半导体行业引起轩然大波。
在清一色欧美日老牌厂商中，低调出现了一个陌生的中国名字：英诺赛科。
从美国宇航局首席科学家，到中国氮化镓功率半导体全球第一的创业者，英诺赛科创始人骆薇薇用八年时间，完成了从0到1的突破和逆袭。
截至2025年9月23日收盘，英诺赛科市值已高达875亿港元，成为了全球氮化镓功率半导体领域的龙头。
而这一切，始于2015年那个不被看好的决定。
一 “跳入火坑”
2015年，当骆薇薇决定回国创业时，身边几乎没有人看好她的选择。
有人甚至直言不讳地告诉她：回国创业是“火坑”，不要往里跳。最终，只有一名员工愿意追随她回国。
骆薇薇毕业于新西兰梅西大学应用数学专业，拥有博士学位。在美国宇航局（NASA）工作15年后，她先后创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。
凭借对行业的判断，骆薇薇在2015年带着第三代半导体氮化镓的梦想回到了中国。
彼时，全球第三代半导体发展仍处于早期阶段，氮化镓还没有大规模商业化应用。更让业内惊讶的是，骆薇薇选择了一条与众不同的技术路径——当大多数企业还在采用6英寸或4英寸工艺时，她毅然决定直接攻关8英寸硅基氮化镓晶圆技术。
这一选择背后是巨大的风险与回报。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，8英寸的晶圆晶粒产出数能够增加80%，单一器件成本可降低30%。但实现难度也呈指数级增加，按照专业评估，这可能需要9年时间才能实现量产。
“经验不会成为发展的瓶颈和壁垒。”骆薇薇凭借在NASA十五年的工作经验，坚定地认为这个世界上并没有太多不可完成的事情。
2015年12月，骆薇薇在珠海成立公司，作为小规模生产基地运营。随着研发取得进展，产能逐渐无法满足需求。2017年，她在苏州正式成立英诺赛科，转向大规模产业化。
骆薇薇带领英诺赛科攻克了一个又一个技术难关。公司不仅成为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一能够规模量产全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。
这一突破填补了行业空白，完善了中国半导体产业链的布局。
与6英寸硅基氮化镓晶圆相比，英诺赛科的8英寸晶圆具备明显的成本优势，这让它在市场竞争中占据了有利位置。
根据弗若斯特沙利文的资料，按2023年收入计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额高达33.7%。若按折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科更是稳居全球第一，2023年市占率达到42.4%。
英诺赛科的产品，目前覆盖消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域。其中，氮化镓分立器件及集成电路的销售增长迅猛，2024年营业额增长87.8%至3.61亿元，占总营业额的43.5%。
二 资本助力
英诺赛科上市之前，完成了五轮融资，总额超过60亿元。这一数字在中国半导体创业公司中比较罕见。
值得注意的是，在C轮融资中，宁德时代创始人曾毓群以个人名义向英诺赛科投资了2亿元。截至上市前，曾毓群已将这部分股权交由其妻子持有，持股比例为1.78%。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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