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日期: 2026-07-11 | 來源: ZAKER | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
7月10日，SK海力士首席執行官郭魯正在公司登陸納斯達克之際表示，2027年可能成為存儲行業歷史上供應最緊張的壹年。
盡管SK海力士正在加快擴充產能，但存儲需求持續增長，現有產能仍然受到制約。郭魯正預計即使到了2030年以後，客戶需求仍可能高於公司的供應能力。
SK海力士此次以美國存托憑證形式登陸納斯達克，發行價為每份149美元，開盤價達到170美元，首日收於168.01美元，較發行價上漲約12.8%。此次發行募集資金約265億美元（約合人民幣1796億元），認購倍數超過柒倍。
面對人工智能帶來的存儲需求增長，SK集團正參與韓國政府推動的半導體擴產計劃，並宣布將在韓國國內投入約1100萬億韓元（約合人民幣4.97萬億元），用於擴大存儲芯片及相關基礎設施供給。
其中，SK海力士計劃向京畿道龍仁半導體產業集群投入約600萬億韓元（約合人民幣2.71萬億元），重點擴大DRAM和HBM產能。龍仁集群規劃建設肆座晶圓廠，首座工廠已於2025年開工，計劃於2027年完成建設，主要生產包括HBM在內的下壹代DRAM產品；整個龍仁產業集群的完工時間也由原定的2045年提前至2033年，加快產能釋放。
SK海力士還計劃在清州投入約100萬億韓元（約合人民幣4520億元），擴大NAND閃存及相關測試、封裝能力，相關新增產能預計自2029年前後逐步投入使用。
此外，SK海力士計劃再投入約400萬億韓元（約合人民幣1.8萬億元），在韓國西南部建設新的半導體產業集群，規劃建設兩座存儲芯片晶圓廠。
在美國，SK海力士則正於印第安納州建設HBM先進封裝和研發基地，計劃投資約38.7億美元（約合人民幣262億元），計劃在2028年下半年投產HBM4E和HBM5。
郭魯正透露，SK海力士還在評估在美國建設完整晶圓廠的可能性。目前海力士尚未作出決定。土地、電力、水資源、熟練工人和制造成本將是選址的主要條件，日本和東南亞也在考慮范圍內。
值得注意的是，據《洛杉磯時報》7月8日援引麥肯錫、SEMI和美國國家科學基金會的最新研究稱，到2030年，美國半導體行業的技術人才缺口可能達到15.7萬人，其中約74%的空缺集中在制造崗位，工程人員將有約60%的缺口。報告認為，人才不足將嚴重威脅美國各地的半導體工廠建設，並限制為未來芯片生產。
高盛和摩根士丹利預計，2026年全球AI相關資本開支仍將達到約8000億美元（約合人民幣5.42萬億元），摩根士丹利還將2027年預測上調至1.12萬億美元（約合人民幣7.59萬億元）。英偉達CEO黃仁勳6月也曾表示，從晶圓、封裝到硅光子等環節的供應短缺可能持續數年，並稱SK海力士是英偉達最大的內存合作伙伴。
雖然存儲廠商積極擴充產能，但業內也有人保留對人工智能投資周期放緩的擔憂。
7月初有消息稱，Meta計劃組建雲計算業務，向外部客戶出售暫時閒置的AI算力。部分市場也將其解讀為前期算力建設可能超過內部實際需求，進而擔心大型科技企業未來會放慢服務器和AI芯片采購速度。受此影響，7月1日至2日費城半導體指數累計下跌超過11%，美光科技兩天跌幅超過15%。
存儲芯片本就是隨供需變化而波動的周期性行業。人工智能需求增長後，HBM定制化程度提高，長期采購協議也讓廠商獲得了更穩定的訂單預期，在壹定程度上延長了本輪景氣周期。但長期訂單並不意味著消除周期風險。隨著叁星、SK海力士和美光的新建產能在未來數年陸續釋放，市場仍可能重新出現供給過剩，廠商也將隨之承壓。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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