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日期: 2022-10-08 | 來源: 自由時報 | 有0人參與評論 | 字體: 小 中 大
美國行業專家指出，拜登政府對中國半導體業的出口制裁措施，可稱是“地毯式轟炸”。（路透）
美國拜登政府在當地時間周伍宣布對中國實體實施全面的半導體出口限制，包括韓國媒體等外媒壹致指出，這顯然是為了全方位挫敗中國的半導體產業，因為這些措施禁止作為先進武器和人工智慧的半導體芯片出口，而幾乎所有電子產品都會使用記憶體芯片。美國行業專家指出，這些措施可能幾乎是對中國半導體行業的“地毯式轟炸”。
新公布的限制旨在阻止中國國有半導體公司長江存儲和長鑫存儲進壹步開發目前正在制造的128層NAND快閃記憶體和19奈米DRAM，從而扼殺整個中國國家的半導體產業。路透報道，拜登政府也已將中國最大的芯片制造商之壹長江存儲科技以及其他30家中國公司，列入美國官員無法審查的黑名單。
拜登政府對中最廣泛的出口限制之壹
韓國媒體報道，美國商務部正准備采取措施，要求外國公司根據目前適用的外國直接產品規則 （FDPR） 計劃銷售18奈米DRAM或以下半導體技術和設備，必須獲得單獨批准，受限制的中企包括華為等在內的中國移動通信公司。許多分析家指出，這些措施是拜登政府最廣泛的出口限制之壹，因為包括快閃記憶體NAND Flash 和DRAM等產品都是中國正在迅速追趕的技術。
韓國的半導體產業正在密切關注限制措施。壹位業內人士表示，雖然目前還很難准確預測這些措施將如何影響國內行產業，但希望影響有限，而對外國公司的出口禁令評估可能會逐案進行。業者認為，韓國芯片制造商不會成為美國制裁目標，因為這些措施旨在扼殺中國的芯片制造商。
韓國半導體大廠最關切 憂心受牽連
據說美國政府豁免壹些韓國半導體制造商，例如叁星電子和SK海力士，這些制造商在中國運營DRAM和NAND制造廠。據報道，韓國政府壹直在與美國討論可能的出口限制豁免，這傳達了韓國半導體公司的擔憂。
不過，仍有些人擔心設備更換和升級可能會有壹些限制。在中國，叁星電子目前生產約40%的NAND，而SK海力士則生產約50%的DRAM。他們分別於2014年在西安和2006年在無錫建廠，增加相關設施和更換舊設備的投資需求不斷增加。華盛頓的消息人士則預測，即使整體半導體產能在幾年內提高，拜登政府也不太可能對希望擴大在中國設施的韓國半導體公司申請例外。
其他壹些人擔心，如果中國半導體需求受到抑制，韓國芯片制造商的企業收益可能會長期下降，中國半導體需求約伨Y氳繼宄隹謐芏畹囊話搿�- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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