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日期: 2023-09-13 | 來源: 差評 | 有0人參與評論 | 專欄: 華為 | 字體: 小 中 大
要說最近硬件圈最大的壹件事就是華為(专题) Mate 60 Pro 突然開售，大家應該沒意見吧？
在突然開售後， Mate 60 Pro 也像壹座金礦壹樣，被各路媒體老師不斷挖掘。
之前托尼也蹭上了這台手機的熱度，在拿到實機的第壹時間跟大家分享了上手體驗。（ 指路：上手華為Mate60 Pro後，我更期待它的未來表現了。）
不過，托尼覺得只有上手體驗這還不夠，因為關於大家最關心的 5G 麒麟芯片，我還沒有給大家講清楚。
但當托尼和硬件部小伙伴們策劃這個選題的時候，發現關於 Mate60 Pro 以及麒麟 9000S 的信息基本上已經被同行們給講完了。
可惡。。。終究還是手慢了。
為了不跟同行們重復講壹樣的東西，我們稍微換了個思路——繞開了處理器本身，看看華為在 “ 造芯片 ” 這塊還有沒有什麼料可以挖。
結果發現還真有！
實際上，這個東西並不是托尼先看到的，而是壹位名叫 “ 問題先生 ” （ Mr Question ）的博主先看到的。
問題先生在業內還是很知名的，據說有 20 多年的半導體相關從業經驗。
兩個多月前，他發了壹個視頻，分析了華為剛剛解禁的壹項半導體晶體管制備專利。
他根據專利的文字描述推測，華為打算在傳統 FinFET （ 鰭式場效應晶體管 ）的基礎上挖兩道凹槽，通過改良 FinFET 的結構，提升了晶體管漏電的控制能力。
進而降低了功耗，改善了性能。
問題先生預估：在同制程下， “ 華為 FinFET” 的能效比傳統 FinFET 提升 20% ，可以把7nm 工藝發揮出 5nm 的性能；5nm 制程做成3nm 的能效。- 新聞來源於其它媒體，內容不代表本站立場！
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