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日期: 2026-01-02 | 来源: 新智元 | 有0人参与评论 | 专栏: 三星 | 字体: 小 中 大
台积电悄悄按下了“2nm”量产启动键，标志着先进芯片制程正式迈入2nm时代，拉开了新一轮半导体技术竞赛的序幕。
台积电2nm制程芯片已投入量产！
没有盛大的产品发布，只是在官网的技术介绍页面上低调提了一句：
台积电2nm（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产。
简单的一句话，背后是半导体技术物理极限的一次重大突破，标志着台积电2nm级制程进入量产阶段，全球科技迈入了2nm芯片的新时代。
据台积电官方介绍，其N2技术采用了第一代纳米片晶体管（nanosheet transistor）技术。
与已经非常优秀的N3E工艺相比，N2技术在性能与功耗方面实现了全节点的显著提升：
在同样功耗下，性能（速度）提升10%–15%。
在同样速度下，功耗降低25%–30%。
这意味着我们手中的智能手机、驱动AI世界的庞大算力、以及未来一切智能设备，都即将迎来一场性能革命。
位于台湾高雄的晶圆二十二厂（Fab 22）是台积电2nm制程的生产基地
此前台积电已多次表示N2芯片将于2025年第四季度按计划进入量产阶段，此举也意味着该项计划现已兑现。
由“鳍”到“片”
突破3nm极限
一切变革，都始于最微观的结构。
过去十年，从22nm到3nm，芯片行业一直依赖着一项名为“鳍式场效应晶体管”（FinFET）的关键技术。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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